TH511Tonghui同惠TH513半導體C-V特性分析儀TH512的詳細資料：

Tonghui同惠TH513半導體C-V特性分析儀TH512

CV曲線掃描分析(xi)能力亦(yi)能滿足實(shi)驗(yan)室對半(ban)導體材料及功率器件的研(yan)發及分析(xi)。

儀器設計頻(pin)率(lv)為1kHz-2MHz，VGS電壓(ya)可(ke)達±40V，VDS電壓(ya)可(ke)達±200V/±1500V/±3000V，足(zu)以滿足(zu)大多數功率(lv)器件測試。

功能特點

A.一體化(hua)測(ce)試，集成度高、體積小、效率(lv)高

一臺儀器(qi)內置了(le)LCR數字電橋、VGS電壓(ya)源、VDS電壓(ya)源、高(gao)低(di)壓(ya)切(qie)換矩陣以及上位機(ji)軟件，將復(fu)雜的接線、繁瑣的操作(zuo)集(ji)成在支持電容式觸摸(mo)的Linux系統(tong)內，操作(zuo)更簡(jian)單。特別適合產線快(kuai)速化(hua)、自(zi)動(dong)化(hua)測試。

B.單管器件測試(shi)，10.1寸(cun)大屏，四(si)種寄生(sheng)參數同屏顯(xian)示，讓(rang)細節一覽無遺

MOSFET或IGBT最重要的四(si)個寄生參(can)(can)數：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一(yi)鍵測試，10.1寸大屏可同(tong)時(shi)將(jiang)測量結(jie)(jie)果、等效電路圖、分選結(jie)(jie)果等重要參(can)(can)數同(tong)時(shi)顯示(shi)，一(yi)目了然。

一鍵測(ce)試(shi)(shi)單管(guan)器(qi)件器(qi)件時，無需頻(pin)繁切換測(ce)試(shi)(shi)腳位、測(ce)量(liang)參數、測(ce)量(liang)結(jie)果，大大提高(gao)了(le)測(ce)試(shi)(shi)效率。

C.列表測試，多個、多芯、模(mo)組(zu)器(qi)件測量參數(shu)同屏顯示

TH510系列半導(dao)體C-V特性(xing)分析儀支持最多6個(ge)單管器件(jian)、6芯器件(jian)或6模組器件(jian)測試，所(suo)有測量參數通過(guo)列表掃描(miao)模式同時顯示測試結果(guo)(guo)及(ji)判(pan)斷結果(guo)(guo)。

D.曲線(xian)掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shu)中，CV特性(xing)曲線也是一個非常重(zhong)要(yao)的指標(biao)，如下(xia)圖

TH510系列半(ban)導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲(qu)線(xian)分析，可(ke)以以對數、線(xian)性兩種方式(shi)實現(xian)曲(qu)線(xian)掃(sao)描(miao)，可(ke)同(tong)時顯示多(duo)(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)：同(tong)一(yi)(yi)參數、不同(tong)Vg的多(duo)(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)；同(tong)一(yi)(yi)Vg、不同(tong)參數多(duo)(duo)條(tiao)曲(qu)線(xian)。

E.接觸檢查(cha)（Contact）功能，提前排除自(zi)動(dong)化測試隱(yin)患(huan)

F.快(kuai)速通斷測(ce)試（OP_SH）,排除損壞器件

在半(ban)(ban)導體器(qi)件特性測試時，由于半(ban)(ban)器(qi)件本(ben)身是損壞件，特別是多芯器(qi)件其中(zhong)一(yi)個(ge)芯已(yi)經(jing)損壞的情況下，測試雜(za)散電容仍(reng)有可能被為合格，而半(ban)(ban)導體器(qi)件的導通(tong)特性才(cai)是最重(zhong)要的特性。

因此，對于(yu)本身(shen)導通(tong)特性不良的(de)產品進行C-V特性測(ce)試是沒(mei)有必要(yao)的(de)，不僅僅浪費了測(ce)量(liang)時(shi)間(jian)，同時(shi)會(hui)由于(yu)C-V合格而(er)混雜(za)在(zai)良品里，導致成品出(chu)貨后被退回帶來(lai)損(sun)失.

TH510系列半導體C-V特性分析儀提(ti)供(gong)了(le)快速通斷測試（OP_SH）功能,可(ke)用于(yu)直接判斷器(qi)件(jian)本身導通性能。

G.模組式器(qi)件設置，支持定制

針對模(mo)組(zu)式器(qi)件如雙路(lu)（Dual）MOSFET、多組(zu)式IGBT，有(you)些器(qi)件會有(you)不同類型芯片(pian)(pian)混合式封裝;TH510系列CV特(te)性分(fen)析儀針對此情況做了優(you)化(hua)，常見模(mo)組(zu)式芯片(pian)(pian)Demo已內置，特(te)殊芯片(pian)(pian)支(zhi)持定制.

H.簡單快捷設置

I.10檔分(fen)選及可(ke)編程HANDLER接口

J.支持定制化，智能固件升(sheng)級方式

同(tong)惠儀器(qi)對于客戶(hu)(hu)而言是(shi)開放的，儀器(qi)所(suo)有接(jie)(jie)口(kou)、指令集均為開放設(she)計，客戶(hu)(hu)可自行編程集成或進行功(gong)能定制，定制功(gong)能若無硬件(jian)更(geng)(geng)改，可直接(jie)(jie)通過固(gu)件(jian)升級方式更(geng)(geng)新。

儀(yi)器(qi)本(ben)身功能完(wan)善、BUG解決、功能升級等，都可以通過升級固(gu)件(Firmware)來進行更新，而(er)無(wu)需返(fan)廠進行。

固件升(sheng)級(ji)非常智能，可以(yi)通過(guo)系統設置界面或者文(wen)件管理界面進行，智能搜索儀器內(nei)存(cun)、外接優盤甚(shen)至(zhi)是局域網內(nei)升(sheng)級(ji)包，并(bing)自動進行升(sheng)級(ji)

K.解決Ciss、Coss、Crss、Rg產線/自(zi)動化系統高速測試(shi)精度

同(tong)惠電子(zi)在電容測(ce)試行業近30年(nian)的經驗(yan)積累，得以在產線、自動化測(ce)試等高速(su)高精(jing)度(du)測(ce)試場合，都能保證電容、電阻(zu)等測(ce)試精(jing)度(du)。

常(chang)規產線測試，提供標(biao)準0米測試夾具，直插(cha)器(qi)件可直接插(cha)入進行測試，Ciss、Coss、Crss、Rg測試精(jing)度高。

針對自動化測(ce)試，由于(yu)自動化設備(bei)測(ce)試工裝通常(chang)需要較長連接(jie)線(xian)，大(da)多自動化設備(bei)生產商(shang)在延(yan)長測(ce)試線(xian)時會(hui)帶來很大(da)的精度(du)偏(pian)差，為此(ci)，同惠設計了(le)2米(mi)延(yan)長線(xian)并內置了(le)2米(mi)校準，保證(zheng)Ciss、Coss、Crss、Rg測(ce)試精度(du)和0米(mi)測(ce)試夾(jia)具一致(zhi)。

L.半導體(ti)元件寄(ji)生(sheng)電容知識(shi)

在高(gao)頻(pin)電路中，半導(dao)體(ti)器件的寄(ji)生(sheng)電容往往會影響(xiang)半導(dao)體(ti)的動態特性，所以在設計半導(dao)體(ti)元(yuan)件時需(xu)要考慮下列(lie)因數(shu)

在高頻電(dian)(dian)路(lu)設計(ji)中往往需要考慮(lv)二極管(guan)結電(dian)(dian)容帶來的影響；MOS管(guan)的寄(ji)生電(dian)(dian)容會(hui)影響管(guan)子的動作時間(jian)、驅(qu)動能力和(he)開關損耗等多(duo)方面特性；寄(ji)生電(dian)(dian)容的電(dian)(dian)壓依賴性在電(dian)(dian)路(lu)設計(ji)中也(ye)是至(zhi)關重要，以MOSFET為(wei)例。

M.標配附(fu)件

Tonghui同惠TH513半導體C-V特性分析儀TH512

• 技術參數

• 產品型號			TH511		TH512	TH513
  通道數			2（可選配(pei)4/6通道）			2
  顯(xian)示(shi)	顯示(shi)器(qi)		10.1英寸(對角線)電(dian)容(rong)觸摸屏
  	比例		16:9
  	分(fen)辨率		1280×RGB×800
  測(ce)量參數			Ciss、Coss、Crss、Rg，四參(can)數(shu)任意(yi)選擇
  測(ce)試頻率	范(fan)圍		1kHz-2MHz
  	精度		0.01%
  	分辨率		10mHz                 1.00000kHz-9.99999kHz
  			100mHz               10.0000kHz-99.9999kHz
  			1Hz                      100.000kHz-999.999kHz
  			10Hz  ;                  1.00000MHz-2.00000MHz
  測試電平	電壓范圍		5mVrms-2Vrms
  	準確度(du)		±（10%×設定(ding)值+2mV）
  	分辨率		1mVrms        ;       5mVrms-1Vrms
  			10mVrms             1Vrms-2Vrms
  VGS電(dian)壓	范圍		0 - ±40V
  	準確度		1%×設定電壓+8mV
  	分辨率		1mV               0V - ±10V
  			10mV             ±10V -±40V
  VDS電壓(ya)	范圍		0 - ±200V		0 - ±1500V	0 - ±3000V
  	準確度		1%×設定電(dian)壓+100mV
  輸出(chu)阻抗			100Ω，±2%@1kHz
  數學運算			與標稱(cheng)值(zhi)的絕對偏差Δ，與標稱值(zhi)的百分比偏差Δ%
  校準功(gong)能			開路OPEN、短路SHORT、負載LOAD
  測量(liang)平均(jun)			1-255次
  AD轉(zhuan)換時間(jian)（ms/次）			快(kuai)速+：0.56ms(＞5kHz) 快速：3.3ms 中速：90ms 慢速：220ms
  最高準確(que)度			0.5%（具體參(can)考說(shuo)明書）
  Ciss、Coss、Crss			0.00001pF - 9.99999F
  Rg			0.001mΩ - 99.9999MΩ
  Δ%			±（0.000% - 999.9%）
  多(duo)功能參數(shu)列(lie)表掃描	點數		50點(dian)(dian)，每個點(dian)(dian)可設(she)置(zhi)平均數，每個點(dian)(dian)可單獨分選
  	參數		測試頻率、Vg、Vd、通道
  	觸(chu)發模式		順(shun)序(xu)SEQ：當(dang)一次觸發后，在所有掃(sao)描點測量(liang)，/EOM/INDEX只輸出(chu)一次
  			步進STEP：每次觸發執行一個(ge)掃描點(dian)測量(liang)，每點(dian)均(jun)輸出/EOM/INDEX，但列(lie)表掃描比較器(qi)結果(guo)只在最后的/EOM才(cai)輸出
  圖形(xing)掃描(miao)	掃描(miao)點(dian)數		任意(yi)點(dian)可選，最多1001點
  	結(jie)果顯示		同(tong)一參數、不同(tong)Vg的多條曲線；同一Vg、不同(tong)參(can)數(shu)多(duo)條曲(qu)線
  	顯示范(fan)圍		實時自動、鎖定(ding)
  	坐標標尺		對數、線性
  	掃(sao)描參數觸發方式		Vg、Vd
  		單次	手動觸發一(yi)次，從(cong)起點到終點一(yi)次掃(sao)(sao)描(miao)完成，下(xia)個(ge)觸發信號啟動新一(yi)次掃(sao)(sao)描(miao)
  		連(lian)續	從起點到(dao)終點無限(xian)次循環掃(sao)描
  	結(jie)果保存		圖(tu)形、文(wen)件(jian)

  
  

• 附件

標配
配件名稱	型號
測試夾具	TH26063B
測試夾具	TH26063C
TH510夾具控制連接電纜	TH26063D
TH510測試延長線	TH26063G

同惠TH512半導體C-V特性分析儀

同惠TH512半導體C-V特性分析儀

同惠TH512半導體C-V特性分析儀